专利详情

专利名称	辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法
申请号	CN201710205736.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106998466A	公开（授权）日	2017.08.01
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	郭旗;李豫东;冯婕;文林;马林东
主分类号	H04N17/00(2006.01)I	IPC主分类号	H04N17/00(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法至辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成，当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时，通过计算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值与暗场平均灰度值的差值，绘制光响应曲线，光响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为饱和输出，将该值除以转换增益即求解出辐照后样品的满阱。当样品辐照前的饱和输出大于等于4000DN时，将样品中可编程增益放大器的增益调到小于1后才能求解出正确的满阱。本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照后器件动态范围、信噪比、灵敏度等性能指标的变化。