专利详情

专利名称	一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法
申请号	CN201510337321.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106257693A	公开（授权）日	2016.12.28
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	焦国华;刘波;杨春雷;鲁远甫;董玉明;刘鹏;陈良培;罗阿郁
主分类号	H01L31/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/115(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法至一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法。该中子探测器包括：基底；吸收层，位于基底上，吸收层由CuInSe₂形成；CdS层，位于吸收层上并且与吸收层形成异质结，CdS层包括暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；ZnO层，位于CdS层上，并且包括与第一接触孔对应且暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；第一电极，与ZnO层接触；第二电极，通过第一接触孔和第二接触孔与吸收层接触，并且与第一电极隔开预定距离。本发明采用诸如CuInSe₂/CdS半导体异质结层替代SiC来制备耐辐照的半导体中子探测器，一方面可以降低成本，另一方面可以克服大面积面阵型探测器制作上的难题。