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一种制备柔性热敏薄膜材料的方法

  • 申请号:CN201610405808.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
  • 公开(公开)号:CN106048527A
  • 公开(公开)日:2016.10.26
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种制备柔性热敏薄膜材料的方法
申请号 CN201610405808.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106048527A 公开(授权)日 2016.10.26
申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 吴敬;黄志明;周炜;江林;欧阳程;高艳卿;张飞;褚君浩
主分类号 C23C14/08(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I
专利有效期 一种制备柔性热敏薄膜材料的方法 至一种制备柔性热敏薄膜材料的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法,该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材,然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片,采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于:1.在室温下完成溅射沉积,实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低,而负温度电阻系数高,有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备,无需高温热处理,耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低,易于与Si基半导体工艺兼容,可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件,大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。

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