专利详情

专利名称	一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法
申请号	CN201610389241.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106024760A	公开（授权）日	2016.10.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;谢晓明
主分类号	H01L23/552(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/552(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法至一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上表面的第一超导层；位于第一超导层表面的第一介电层；位于第一介电层表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构；位于霍尔结构表面的第二介电层；位于第二介电层表面的第二超导层；位于衬底上表面，并与霍尔结构连接的金属接触电极；第一、第二超导层的长宽小于第一、第二介电层的长宽，第一、第二介电层的长宽均小于等于霍尔结构的长宽，且霍尔结构的长宽小于衬底的长宽。通过本发明提供的一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，解决了利用现有技术中当二维半导体薄膜应用在新型微纳电子器件中时易受环境中电磁场的干扰，进而影响器件工作的问题。