专利详情

专利名称	缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法
申请号	CN201610243008.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105887022A	公开（授权）日	2016.08.24
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	邵建达;柴英杰;朱美萍;邢焕彬;易葵
主分类号	C23C14/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/30(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I
专利有效期	缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法至缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种缝合基板凹陷结构缺陷获得高损伤阈值高反膜的方法，通过引入缝合层来降低基板微米级坑点/划痕导致的多层膜膜层形变，从而使高反膜横向力学均匀性提高，不易断裂，有效提高其抗损伤性能。其中缝合层采用等离子体辅助电子束蒸发方式来调控薄膜应力。本发明有效的隔离了基板凹陷缺陷对薄膜表面功能层的影响，可以极大程度地缝合基板坑点/划痕缺陷对薄膜抗激光损伤性能的影响，具有成本低，针对性强，效率高，简单易行的特点。