专利详情

专利名称	高发光效率LED外延片及其制备方法
申请号	CN201610183107.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105789393A	公开（授权）日	2016.07.20
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵德刚;杨静
主分类号	H01L33/04(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	高发光效率LED外延片及其制备方法至高发光效率LED外延片及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高发光效率LED外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上。本发明是通过插入一层GaN表面修复层，并优化表面修复层的生长参数，修复降温过程中由于GaN分解引起的表面损伤，使量子阱生长在光滑的GaN表面上，提高量子阱的界面质量，减少多量子阱区的缺陷密度。