专利详情

专利名称	一种三维碳负极材料的制备方法及应用
申请号	CN201610035653.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105695953A	公开（授权）日	2016.06.22
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	郭玉国;叶欢;殷雅侠
主分类号	C23C16/26(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/26(2006.01)I;H01M4/587(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/054(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种三维碳负极材料的制备方法及应用至一种三维碳负极材料的制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种三维碳材料的制备方法及应用。所述三维碳材料由碳纳米球修饰，碳纳米球是由石墨片卷曲成类洋葱似结构。本发明碳材料采用化学气相沉积技术实现类洋葱结构碳球的制备。所述三维碳材料可以实现可逆嵌脱钠，呈现斜坡式电压行为，解决现有方法制备的二次电池负极材料枝晶生长，提高电池安全性，改善比容量低，稳定性差，循环性能差，放电平台高和首次库伦效率低等问题。所述负极材料以泡沫镍作为骨架直接用作电极，无粘结剂，成本低，方法简单，适合大规模生产，具有应用潜力。