专利详情

专利名称	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
申请号	CN201610872740.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106340521A	公开（授权）日	2017.01.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑
主分类号	H01L27/11568(2017.01)I	IPC主分类号	H01L27/11568(2017.01)I;H01L27/11507(2017.01)I;H01L27/11521(2017.01)I
专利有效期	存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备至存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括第一存储单元的第一阵列以及第二存储单元的第二阵列，第一阵列和第二阵列彼此嵌套。各存储单元层中的第一、第二存储单元分别沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上。每个第一存储单元是基于依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的竖直器件。每个第二存储单元是基于沿叠置方向延伸的有源半导体层的竖直器件。每个第一存储单元和每个第二存储单元分别包括各自的存储栅堆叠，它们共用栅导体层。同一存储单元层中的栅导体层成一体。