一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管
- 申请号：CN201610412360.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN105932153A
- 公开(公开)日：2016.09.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管 | ||
| 申请号 | CN201610412360.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105932153A | 公开（授权）日 | 2016.09.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王开友;张保;杨美音 |
| 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管 至一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管及其构成的逻辑器件。晶体管具有复合多层膜结构：压电层/磁性薄膜/保护层，或者导电层/压电层/磁性薄膜/保护层。本发明通过对压电薄膜两端施加电压产生形变，该形变转移到上层的磁性薄膜中。本发明利用压电实现室温零磁场下磁化的翻转。本发明具有低功耗、响应时间短、集成度高和在室温下工作的优点。 | ||
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