专利详情

专利名称	用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置
申请号	CN201721355011.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207427326U	公开（授权）日	2018.05.29
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	寇经纬;余建成;张伟刚;王彦超;李红光
主分类号	H04N5/268(2006.01)I	IPC主分类号	H04N5/268(2006.01)I;H04N5/372(2011.01)I;G01J1/00(2006.01)I
专利有效期	用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置至用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于激光探测技术领域，具体涉及一种用于高功率激光近场测量的高信噪比探测装置。该探测装置包括CCD传感器、前置放大与预处理单元、采样转换机构、FPGA控制器、PHY芯片和光纤网络接口。本实用新型探测装置主要用于高功率激光的近场测量，能够很好的探测不同强度分布的激光，从而实现精密的近场测量。同时，该探测装置针对高功率激光进行近场测量时的高信噪比要求，能够实现高动态范围，高信噪比，低非均匀性成像，并且能够稳定输出高质量激光测量图像。此外，该探测装置能够进行采样位置的灵活选取和采样数据的高效处理，使得图像信噪比提高的同时数据处理的灵活性也极大增强。