专利详情

专利名称	三结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201510669722.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106601856A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	代盼;陆书龙;吴渊渊;谭明;季莲;杨辉
主分类号	H01L31/078(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	三结太阳能电池及其制备方法至三结太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在Si子电池上依次叠层制备过渡层组、第一隧道结以及AlGaAs子电池；在AlGaAs子电池上依次叠层制备第二隧道结以及AlGaInP子电池。根据本发明的三结太阳能电池能够有效拓宽Si子电池的光谱覆盖范围，提高电池的开路电压，从而提高电池效率；同时，本发明的三结太阳能电池通过激活硅衬底形成Si子电池，以硅片为衬底，利用了其成本低、机械强度高和有利于大面积集成等优点，也为大规模制造提供了可能。