专利详情

专利名称	一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用
申请号	CN201610244438.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105789451A	公开（授权）日	2016.07.20
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	李永舫;王彬彬;张志国
主分类号	H01L51/44(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用至一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。