专利详情

专利名称	氮化物超辐射发光二极管及其制备方法
申请号	CN201410776660.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105762236A	公开（授权）日	2016.07.13
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙逸;孙钱;刘建平;张书明;张立群;李德尧;杨辉
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I
专利有效期	氮化物超辐射发光二极管及其制备方法至氮化物超辐射发光二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种氮化物超辐射发光二极管（SLD），包括衬底以及外延结构层，所述外延结构层包括依次形成于衬底上端面的缓冲层、下光学限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上光学限制层和电极接触层，其中所述衬底下端面上还设有下电极，而在所述电极接触层上设有上电极，其特征在于所述外延结构层上部包含有脊型波导结构，所述脊型波导结构主要由直线区、弧形区和倾斜区中的任意两种以上的组合构成。本发明还公开了前述SLD的制备方法。本发明的SLD器件兼具高输出功率和高质量的输出光谱，稳定性好，使用寿命长。