专利详情

专利名称	低成本稀土闪烁晶体的生长
申请号	CN201610115971.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105714374A	公开（授权）日	2016.06.29
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	薛冬峰;孙丛婷
主分类号	C30B15/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B15/00(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I
专利有效期	低成本稀土闪烁晶体的生长至低成本稀土闪烁晶体的生长	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将RE₂O₃、二氧化硅、铈的氧化物和镥的氧化物作为原料进行混合后，得到混合原料；所述RE包括Gd、La和Y中的一种或多种；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，结合稀土闪烁晶体生长过程中的界面处的键合结构，确定优势生长方向，采用相应的具有特定生长方向的籽晶，从而缩短了生长过程时间，降低了生长成本。