一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法
- 申请号:CN201611247869.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN106673047A
- 公开(公开)日:2017.05.17
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 | ||
申请号 | CN201611247869.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106673047A | 公开(授权)日 | 2017.05.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 黄富强;王东;黄冲 |
主分类号 | C01G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G1/02(2006.01)I |
专利有效期 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 至一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法,所述方法包括:将摩尔比1:1~1.2:1的过渡金属M粉末和过渡金属M的氧化物粉末作为反应原料,与质量为反应原料总质量的0.5~2.5倍、优选0.5~2倍的碱金属卤化物充分混合后,真空封装于反应器中,于900~1100摄氏度反应5~10小时,得到过渡金属一氧化物粉体,将该过渡金属一氧化物粉体进行放电等离子体烧结,得到过渡金属一氧化物靶材,并将该过渡金属一氧化物靶材生长薄膜,得到过渡金属一氧化物薄膜。本发明能够低温、快速制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜。 |
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