化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途
- 申请号:CN201510163589.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN106149055A
- 公开(公开)日:2016.11.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途 | ||
申请号 | CN201510163589.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106149055A | 公开(授权)日 | 2016.11.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 潘世烈;安东海;张敏;陈惠敏 |
主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C01B35/12(2006.01)I |
专利有效期 | 化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途 至化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途,特别是一种用于深紫外-红外波段的分子式为NaBO2的偏硼酸钠双折射晶体。该晶体的化学式为NaBO2,分子量为65.8,属于三方晶系,空间群是R????????????????????????????????????????????????c,晶胞参数a?=?11.8617??,?b=11.8617??,?c?=?6.3957??,V?=?590.93??3?,Z=4;其透光范围为180-3500?nm,双折射率为0.09(3500?nm)-0.23(180?nm)之间。采用高温熔体法或高温熔液法生长晶体,该晶体硬度适中,易于加工,并且同成分熔融,易于生长,具有较大的双折射率;在光学和通讯领域有重要应用,可用于制作光隔离器、环形器、光束位移器、光学起偏器或光学调制器中的用途。 |
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