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一种微波法制备掺氟的荧光硅量子点的方法

  • 申请号:CN201610354100.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院武汉物理与数学研究所
  • 公开(公开)号:CN105969346A
  • 公开(公开)日:2016.09.28
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种微波法制备掺氟的荧光硅量子点的方法
申请号 CN201610354100.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105969346A 公开(授权)日 2016.09.28
申请(专利权)人 中国科学院武汉物理与数学研究所 发明(设计)人 周欣;李莎;陈世桢;孙献平;刘买利
主分类号 C09K11/61(2006.01)I IPC主分类号 C09K11/61(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种微波法制备掺氟的荧光硅量子点的方法 至一种微波法制备掺氟的荧光硅量子点的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种微波法制备掺氟的荧光硅量子点的方法,其步骤是:1)配制质量分数为4%?5%的柠檬酸钠水溶液,向柠檬酸钠水溶液中加入硅烷偶联剂,硅烷偶联剂与柠檬酸钠水溶液的质量比为10?30:80,混合均匀后,加入含全氟叔丁醇的无水乙醇溶液,全氟叔丁醇与硅烷偶联剂的摩尔比为1:5?15,无水乙醇与水的体积比为1:5?10,超声分散均匀,得到反应前躯体;2)将反应前躯体转移到反应管中,微波加热反应管至160?180℃后,反应15?30分钟,将反应所得的体系冷却至室温,得到黄色溶液;3)将黄色溶液透析去除杂质,再用微孔滤膜过滤,最后将滤液冻干。该方法只需简单的一步合成法,就制得荧光强度高、粒径均一、分散性好的表面掺氟的荧光硅量子点。

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