一种单层单晶石墨烯量子点及其制备方法
- 申请号:CN201610284598.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN105860968A
- 公开(公开)日:2016.08.17
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种单层单晶石墨烯量子点及其制备方法 | ||
申请号 | CN201610284598.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN105860968A | 公开(授权)日 | 2016.08.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 周树云;袁标;孙兴明;严峻;谢政;陈萍 |
主分类号 | C09K11/65(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/65(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
专利有效期 | 一种单层单晶石墨烯量子点及其制备方法 至一种单层单晶石墨烯量子点及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开一种单层单晶石墨烯量子点,该单层单晶石墨烯量子点粒径大小为1~10nm,为单层的单晶结构,且所述单晶结构为典型的六方网格条纹结构。还公开了此单层单晶石墨烯量子点的制备方法,该方法以多环芳烃为碳源,利用液相剥离法制备得到单层单晶石墨烯量子点,得到的量子点可发出明亮的荧光,发光波长可通过碳源前躯体和石墨烯量子点溶液的pH值进行调控。 |
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