专利详情

专利名称	双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池
申请号	CN201720645616.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207282509U	公开（授权）日	2018.04.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;俞健;刘金宁;刘毓成
主分类号	H01L31/072(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/072(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池至双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。