一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构
- 申请号:CN201721095139.4
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN207282478U
- 公开(公开)日:2018.04.27
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构 | ||
申请号 | CN201721095139.4 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN207282478U | 公开(授权)日 | 2018.04.27 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 廖清君;胡晓宁 |
主分类号 | H01L23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
专利有效期 | 一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构 至一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本专利公开了一种碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件复合结构。本专利中的复合结构包括碲锌镉衬底、碲镉汞红外光敏芯片、硅读出电路、宝石电极基板、和宝石形变平衡层。本专利采用常规制备方法获得碲锌镉基碲镉汞焦平面模块,然后在模块的硅读出电路背面涂敷一层聚氨酯改性环氧树脂,贴上一层宝石形变平衡层,其中宝石形变平衡层厚度与宝石电极基板一致,尺寸与硅读出电路尺寸一致;然后在宝石形变平衡层上施加4~5牛顿的力,在22~28℃下固化168~192小时。采用本专利中的方法制备的复合结构有效降低间接倒焊互连碲锌镉基碲镉汞红外焦平面器件在低温下工作的热失配应力,减小由于热失配造成的碲镉汞芯片变形,提高器件的低温可靠性。 |
交易流程
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