专利详情

专利名称	一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统
申请号	CN201611223179.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106683736A	公开（授权）日	2017.05.17
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	吴宜灿
主分类号	G21G4/02(2006.01)I	IPC主分类号	G21G4/02(2006.01)I
专利有效期	一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统至一种适用于氘氚聚变中子源的高载热靶系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种氘氚聚变中子源的高载热靶系统，包括氘束流、束流扫描驱动装置、靶片、靶片驱动装置、冷却结构、冷却介质、冷却介质循环系统、束流传输腔室、冷却介质动密封结构、真空动密封结构；束流扫描驱动装置用于驱动氘束流移动；氘束流位于束流传输腔室内移动；靶片驱动装置驱动靶片移动；靶片设置在氘束流的移动路径上；氘束流轰击所述靶片形成的靶点；冷却结构设置在靶点所在的靶片区域；冷却介质填充在冷却结构内；冷却介质通过所述冷却介质循环系统实现循环，利用该发明可实现强流氘氚聚变中子源的氚靶系统在承受大于100kw/cm²的氘束流轰击下，维持靶面温度小于200℃，保证氚靶系统的稳定正常运行，进而产生中子源强达10¹³?10¹⁵n/s的14MeV高能聚变中子。