专利详情

专利名称	一种半导体传感器窗厚测量方法及装置
申请号	CN201410802217.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105758344A	公开（授权）日	2016.07.13
申请（专利权）人	中国科学院空间科学与应用研究中心	发明（设计）人	杨垂柏;张珅毅;张斌全;荆涛;孙莹;王文静;曹光伟;孔令高;梁金宝;孙越强
主分类号	G01B15/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01B15/02(2006.01)I
专利有效期	一种半导体传感器窗厚测量方法及装置至一种半导体传感器窗厚测量方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体传感器窗厚测量方法及装置，所述方法包括：步骤101，依据半导体传感器窗厚理论值估算不同离子穿透传感器窗和灵敏区所需要的能量；步骤102，依据得到的不同离子穿透半导体窗和灵敏区所需的能量值统计各种离子穿透传感器窗和灵敏区的情况，并依据使离子穿透传感器窗同时又不穿透灵敏区的原则，从所有离子中选定若干离子种类和能量；步骤103，依据选定的离子种类和能量值设置离子枪，即使离子抢射出的离子种类和能量与选定的离子的种类和能量值相同，并将离子抢射出的离子传输至半导体传感器处，进而测试半导体传感器的窗厚。本发明的技术方案可以为半导体窗开展测量厚度，从而为仪器研制的质量保证提供保障。