专利详情

专利名称	一种半导体量子器件
申请号	CN201720693828.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207217544U	公开（授权）日	2018.04.10
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	李海欧;王柯;袁龙;曹刚;郭光灿;郭国平
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种半导体量子器件至一种半导体量子器件	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种半导体量子器件，包括：GaAs衬底；所述GaAs衬底表面设置有二维电子气导通平台；所述二维电子气导通平台中间设置有二维电子气窄带平台；所述第一纳米窄带与第二纳米窄带宽度方向的两侧设置有量子点小电极；所述二维电子气导通平台的端部沉积有欧姆接触电极；所述GaAs衬底的表面在二维电子气导通平台的外围设置有金属栅极；所述金属栅极与所述量子点小电极一端相接触。与现有技术相比，本实用新型通过蚀刻二维电子气导通平台形成第一纳米窄带与第二纳米窄带，将肖特基电极下方的大部分二维电子气直接移除，浅刻蚀量子点拥有比传统结构量子点低一个量级的低频电荷噪声，为量子比特和量子计算研究提供了一个新的结构体系。