专利详情

专利名称	空穴型半导体异质结霍尔棒
申请号	CN201720754071.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207217593U	公开（授权）日	2018.04.10
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	李海欧;袁龙;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平
主分类号	H01L43/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I
专利有效期	空穴型半导体异质结霍尔棒至空穴型半导体异质结霍尔棒	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了空穴型半导体异质结霍尔棒。其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。