专利详情

专利名称	一种日盲紫外单光子成像系统
申请号	CN201721074538.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207197676U	公开（授权）日	2018.04.06
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	王兴;刘虎林;田进寿;韦永林;温文龙;何凯;辛丽伟
主分类号	G01J11/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01J11/00(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I
专利有效期	一种日盲紫外单光子成像系统至一种日盲紫外单光子成像系统	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于单光子探测技术领域，尤其涉及一种日盲紫外单光子成像系统，紫外单光子信号入射穿过透紫外玻璃；光电阴极与背照式CMOS位于真空腔室内，光电阴极附着于透紫外玻璃表面且正对背照式CMOS，背照式CMOS位于光电阴极相对侧的真空腔室内壁上；光电阴极设置有高压电极引线，高压电极引线与读出电路连接，通过外部高压电源供电；背照式CMOS设置有电极引脚，所述电极引脚与读出电路连接；读出电路与图像采集与显示单元连接。本实用新型采用日盲紫外光电阴极与固体互补金属氧化物半导体相结合的方式，具有光电阴极的高灵敏度、电子轰击半导体的高增益低噪声、固体互补金属氧化物半导体的数字化显示和高帧速的特点。