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一种制备细晶CaP涂层的研磨流动电沉积装置

  • 申请号:CN201721091224.3
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所
  • 公开(公开)号:CN207176089U
  • 公开(公开)日:2018.04.03
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 一种制备细晶CaP涂层的研磨流动电沉积装置
申请号 CN201721091224.3 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN207176089U 公开(授权)日 2018.04.03
申请(专利权)人 深圳先进技术研究院;广州中国科学院先进技术研究所 发明(设计)人 孙学通;左伟峰;张春雨;陈贤帅
主分类号 C25D5/22(2006.01)I IPC主分类号 C25D5/22(2006.01)I;C25D5/20(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D17/00(2006.01)I;C25D21/10(2006.01)I
专利有效期 一种制备细晶CaP涂层的研磨流动电沉积装置 至一种制备细晶CaP涂层的研磨流动电沉积装置 法律状态
说明书摘要 本实用新型涉及植入体表面处理工程技术领域,具体公开了一种制备细晶CaP涂层的研磨流动电沉积装置。本实用新型制备过程主要包括对多孔金属样件进行预处理、电沉积制备多孔金属表面的细晶生物活性涂层、研磨流动电沉积,通过将硬质粒子加入电解液中,溶液以一定速度流过多孔金属三维表面的时候,粒径微小的硬质粒子也随着溶液穿过多孔结构内部,可对SLM多孔金属三维表面的微粗糙结构进行研磨。这种研磨作用可去除传统预处理过程难以除去的金属表面残留的毛刺、未熔金属粉末等。本实用新型电沉积CaP沉积层均匀性、致密性获得显著改善,并且有利于提高细晶强化、材料耐蚀性。

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