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铋?氧化锡深紫外光探测器及其制备方法

  • 申请号:CN201710095162.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN106876508A
  • 公开(公开)日:2017.06.20
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 铋?氧化锡深紫外光探测器及其制备方法
申请号 CN201710095162.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106876508A 公开(授权)日 2017.06.20
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 潘书生;刘倩文;罗媛媛;赵俊乾;李广海
主分类号 H01L31/032(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 铋?氧化锡深紫外光探测器及其制备方法 至铋?氧化锡深紫外光探测器及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种铋?氧化锡深紫外光探测器及其制备方法。探测器的铋掺杂氧化锡薄膜的化学式组成为BixSn1?xO2,化学式中的0.04≤x≤0.3,其中,薄膜中铋的价态为Bi+3和Bi+5的比例为45?55%:45?55%,薄膜的厚度为80?200nm,其上置有电极;方法为先将铋锡混合靶和衬底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中,再使真空室处于氩?氧混合气氛中,于450?700℃下溅射30?90min,得到覆于衬底上的铋掺杂氧化锡薄膜,之后,先于其上安装电极,再将安装有电极的铋掺杂氧化锡薄膜与衬底剥离,制得目的产物。它具有低暗电流下的窄紫外波段响应的高量子效率和高探测率,极易于商业化地广泛应用于火焰报警、电晕检测、日盲区预警等弱紫外光探测领域。

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