专利详情

专利名称	基于单个囚禁离子的单光子源
申请号	CN201710043857.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106683976A	公开（授权）日	2017.05.17
申请（专利权）人	中国科学院武汉物理与数学研究所	发明（设计）人	陈亮;何九洲;李冀;刘志超;冯芒
主分类号	H01J63/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01J63/00(2006.01)I;H01J63/02(2006.01)I;H04B10/70(2013.01)I
专利有效期	基于单个囚禁离子的单光子源至基于单个囚禁离子的单光子源	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了基于单个囚禁离子的单光子源，包括真空室、离子阱芯片和钙原子炉，离子阱芯片包括参砷硅基片、第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，参砷硅基片上设置有基片通孔，基片通孔的相对的侧壁分别设置有光纤固定槽，两个光纤固定槽内分别设置有共光轴的两个多模光纤，两个多模光纤的相对的端面为凹面，凹面的表面设置介质膜，两个多模光纤的凹面的焦点重合，两个多模光纤的凹面之间形成光学微腔，本发明实现单个离子的多普勒极限冷却。单光子源具有很高的产生效率。便于与现有的光通信系统连接。使制备的单光子线宽达到离子能级跃迁的自然线宽。