专利详情

专利名称	高偏振消光比超导纳米线单光子探测器
申请号	CN201510593862.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106558632A	公开（授权）日	2017.04.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李浩;尤立星;王镇
主分类号	H01L31/09(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	高偏振消光比超导纳米线单光子探测器至高偏振消光比超导纳米线单光子探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高偏振消光比超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜的表面；介质层，位于所述高反膜的表面，且包覆所述超导纳米线；光栅结构，位于所述介质层的表面。本发明的高偏振消光比超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底，采用正面光耦合方式可避免了衬底Fabry-Perot腔会对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率；通过光栅结构尺寸设计可实现非目标极化光滤波功能，进而有效提高器件探测效率及偏振消光比。