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金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座

  • 申请号:CN201610320424.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN105803425A
  • 公开(公开)日:2016.07.27
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座
申请号 CN201610320424.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105803425A 公开(授权)日 2016.07.27
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 刘双韬;赵德刚;陈平;朱建军;刘宗顺
主分类号 C23C16/458(2006.01)I IPC主分类号 C23C16/458(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I
专利有效期 金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 至金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种金属有机化合物气相沉积反应装置的反应基座,包括:一圆盘状的反应基座,该反应基座上开有三个圆形凹槽,该圆形凹槽边缘为圆弧过渡结构,该反应基座中心处存在一个圆弧脊形过渡结构,使得反应基座表面中心处高于其他部分,该反应基座的材料为镀有一层碳化硅的石墨。本发明可以提高MOCVD沉积薄膜的质量,提高外延薄膜的均匀性。

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