
一种离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质的制备方法
- 申请号:CN201410783504.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN105762414A
- 公开(公开)日:2016.07.13
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质的制备方法 | ||
申请号 | CN201410783504.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN105762414A | 公开(授权)日 | 2016.07.13 |
申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 刘颖佳;陈剑 |
主分类号 | H01M10/058(2010.01)I | IPC主分类号 | H01M10/058(2010.01)I |
专利有效期 | 一种离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质的制备方法 至一种离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种改良的溶胶-凝胶法制备NASICON型离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质,具体包含以下几步骤:先将锂盐、掺杂离子金属盐、磷酸盐按化学计量比溶于去离子水中均匀混合;配制柠檬酸水溶液,按一定配比加入到以上盐溶液中,继续搅拌;将化学计量比的甲醇锗缓慢加入到上述混合溶液中;调节溶液pH值,在50-120℃加热,发生络合反应,得到溶胶;将凝胶在120-200℃间继续反应成干凝胶;将干凝胶研磨成粉末,于300-700℃热处理后得到前驱体;将前驱体二次研磨,压制成素坯,800-1000℃煅烧获得NASICON型离子掺杂的磷酸锗锂基固体电解质。本方法步骤简易,周期短,质量重现性好,可获得离子电导率较高的锂离子固体电解质。 |
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