专利详情

专利名称	一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法
申请号	CN201510392338.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106319557A	公开（授权）日	2017.01.11
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	李灿;王志亮;韩晶峰;宗旭
主分类号	C25B11/00(2006.01)I	IPC主分类号	C25B11/00(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I
专利有效期	一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法至一种光电化学分解水的GaN:ZnO光阳极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及以ZnO和Ga₂O₃粉末为前驱体、导电材料为基底，在水汽辅助条件下，氮化合成高效GaN:ZnO电极。在水汽辅助下，采用高温原位氮化，制得多孔的GaN:ZnO光阳极。并且作为光活性层的GaN:ZnO晶粒之间以及晶粒与衬底都具有良好的接触。在AM1.5G模拟太阳光条件下，当施加的偏压为1.23V(相对于标准氢电极)，在0.5mol/L?K₃PO₄水溶液中可以获得1.16mA/cm²的光电流响应。不同于已公开报道的GaN:ZnO光阳极，该电极的制备方法简便可控，并且可以获得高的光电分解水性能。该光电极还可用于光电化学分解水制氢、生物质转化以及光电化学有机合成等用途。