专利详情

专利名称	高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途
申请号	CN201410735826.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105714376A	公开（授权）日	2016.06.29
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	潘世烈;张兴文;吴红萍
主分类号	C30B29/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/10(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途至高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及大尺寸高低温相硼酸锶镉晶体及制备方法和用途。该大尺寸高低温相晶体的化学式为SrCdB₂O₅，分子量301.64，低温相SrCdB₂O₅属正交晶系，空间群Pbca，晶胞参数为a=11.955(12)?，b=5.762(6)?，c=12.658(12)?，V=872.0(15)?³；高温相晶体属单斜晶系，空间群C2/c，晶胞参数为a=7.639(7)?，b=10.183(10)?，c=11.140(10)?，β=99.247(10)°，V=855.2(14)?³。采用高温熔液法生长晶体，该硼酸锶镉晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，并且存在负热膨胀性，相变时体积负突变，高温相SrCdB₂O₅密度大于低温相SrCdB₂O₅密度，由于这一性质，在制备热敏器件以及零膨胀材料中得到广泛应用。