专利详情

专利名称	解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法
申请号	CN201710380376.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107099772A	公开（授权）日	2017.08.29
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	朱美萍;曾婷婷;易葵;柴英杰;许诺;孙建;王建国;邵建达
主分类号	C23C14/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/08(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I
专利有效期	解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法至解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法，综合采用电子束沉积技术和离子束辅助沉积技术，采用离子束辅助沉积技术沉积应力临界层，采用电子束沉积技术沉积应力临界层之外的其他膜层。本发明能够解决电子束沉积较厚膜层时，因膜层张应力太大导致的膜层龟裂问题，且不会增加膜系设计难度和实际制备工艺难度。