专利详情

专利名称	五结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201510670555.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106571408A	公开（授权）日	2017.04.19
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	代盼;陆书龙;谭明;吴渊渊;季莲;杨辉
主分类号	H01L31/0687(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	五结太阳能电池及其制备方法至五结太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种五结太阳能电池，包括InP衬底、以及在InP衬底上依次叠层设置的InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池和GaInP/AlGaInP双结太阳能电池。本发明还公开了五结太阳能电池的制备方法，包括：在InP衬底上制备InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池；在GaAs衬底上制备GaInP/AlGaInP双结太阳能电池；将InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳能电池与GaInP/AlGaInP双结太阳能电池进行晶片键合，从而得到InGaAs/InGaAsP/InAlAs/GaInP/AlGaInP五结太阳能电池。根据本发明的五结太阳能电池满足0.73eV/1.05eV/1.47eV/1.89eV/2.2eV的带隙组合，从而可实现宽光谱的吸收，获得高电压及低电流输出，有效降低了太阳能电池在高倍聚光下的电阻损失，从而提高了太阳能电池的光电转换效率。