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电氧化合成一维纳米氧化物结构的制备方法

  • 申请号:CN201410784897.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN105780087A
  • 公开(公开)日:2016.07.20
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 电氧化合成一维纳米氧化物结构的制备方法
申请号 CN201410784897.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105780087A 公开(授权)日 2016.07.20
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 俞红梅;付丽;张长昆;贾佳;迟军;邵志刚;衣宝廉
主分类号 C25D11/34(2006.01)I IPC主分类号 C25D11/34(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期 电氧化合成一维纳米氧化物结构的制备方法 至电氧化合成一维纳米氧化物结构的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种用于光电催化领域的一维纳米氧化物的制备方法。电化学体系为:电解质溶液为Fe2+前驱体溶液,不同配比的去离子水和多元醇作为溶剂,工作电极为导电基板,对电极为Pt金属板或石墨板,参比电极为Ag/AgCl或者饱和甘汞电极。在导电玻璃表面电沉积制备FeOOH薄膜,该薄膜样品浸渍形貌保护剂后再通过煅烧得到α-Fe2O3光阳极。采用此种方法制备光阳极,可实现α-Fe2O3光阳极薄膜与导电基板的紧密结合,提高其在光电解过程中的稳定性。在光电解过程中使用此种方法制备的光阳极,可以实现对α-Fe2O3光阳极薄膜厚度的精确控制,通过控制电流时间从而在不同电量下沉积不同厚度的薄膜,为探讨光电解池的载流子的传递机理、光学特性和膜厚度之间关系提供重要的依据。

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