专利详情

专利名称	一种双色探测器的制备方法及双色探测器
申请号	CN201410747527.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105742400A	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	谭明;陆书龙;吴渊渊;代盼;季莲
主分类号	H01L31/111(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/111(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种双色探测器的制备方法及双色探测器至一种双色探测器的制备方法及双色探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双色探测器的制备方法，包括：S1、在InP衬底上依次倒置生长p-InP帽层、PIN型InGaAsP层、PIN-IP型InGaAs层和p+InP型键合层形成探测器外延层；S2、在n型GaAs衬底上依次生长GaAs/AlGaAs层和n+GaAs键合层形成分布式布拉格反射器外延层；S3、将探测器外延层与分布式布拉格反射器外延层进行键合；S4、剥离InP衬底；S5、台面刻蚀以及电极制作形成探测器，并在探测器表面制备TiO2/SiO2增透膜。本发明还提供了一种双色探测器。