专利详情

专利名称	一种多孔硅薄膜的制备装置
申请号	CN201721178682.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207097794U	公开（授权）日	2018.03.13
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波升日太阳能电源有限公司	发明（设计）人	邬苏东;芦子玉;叶继春;夏金才;张欢;杨熹;杨阵海
主分类号	H01L21/677(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/677(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I;H01L21/3063(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种多孔硅薄膜的制备装置至一种多孔硅薄膜的制备装置	法律状态
说明书摘要	一种多孔硅薄膜的制备装置，该制备装置包括硅片安装装置、清洗腐蚀一体化槽体，所述的硅片安装装置包括硅片安装槽、传送带、抽真空设备，所述的传送带装载有若干个硅片安装槽且配有可控制传送带行程的控制器，所述的硅片安装槽之间通过连接装置相互连接并接入传送带；所述的硅片安装槽上部与抽真空设备连接，硅片安装槽下部紧贴有硅片；所述的清洗腐蚀一体化槽体包括清洗槽、带有若干个钼电极的腐蚀槽；该制备多孔硅薄膜的方法包括传送带调控步骤、硅片安装步骤、硅片清洗及腐蚀步骤、取样步骤的四大步骤来完成多孔硅薄膜的制作；本实用新型具有批量生产、自动化控制的优点。