专利详情

专利名称	一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层
申请号	CN201611153882.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106601839A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	马英杰;顾溢;张永刚
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层至一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。