专利详情

专利名称	空穴型半导体电控量子点器件和装置
申请号	CN201720754015.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207068864U	公开（授权）日	2018.03.02
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平
主分类号	H01L29/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/66(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I
专利有效期	空穴型半导体电控量子点器件和装置至空穴型半导体电控量子点器件和装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了空穴型半导体电控量子点器件。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(204)以及量子点小电极(402)均有交叠。还公开了一种量子点装置。