专利详情

专利名称	一种极化电场调控二维半导体能带结构
申请号	CN201720838135.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207009481U	公开（授权）日	2018.02.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王建禄;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩
主分类号	H01L51/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	一种极化电场调控二维半导体能带结构至一种极化电场调控二维半导体能带结构	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种极化电场调控二维半导体能带结构。该方法将极化材料与二维半导体直接接触，极化材料极化后所产生的极化电场可有效调控二维半导体的能带结构。所采用的器件结构自下而上依次为绝缘衬底、二维半导体、金属引出复合电极、极化材料和金属上电极。形成金属?极化材料?二维半导体器件结构，施加外加电场，使极化材料极化，随后撤去外加电场。区别于其它二维半导体能带调控方法，该方法利用极化保持特性，可实现无外场下对二维半导体能带结构调控。光致发光光谱结果表明，在极化电场的作用下，二维半导体的能带结构得到了有效调控，因此拓展了此类材料的应用。该方法同时具备极低功耗、操作简便、稳定性好等特点。