专利详情

专利名称	一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法
申请号	CN201510598628.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106549077A	公开（授权）日	2017.03.29
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	郭丽伟;陈小龙;黄郊;史哲
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I
专利有效期	一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法至一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种光电二极管装置，包括光源和整流结构，所述整流结构包括高阻光增益半导体衬底，位于所述高阻光增益半导体衬底上的石墨烯层，位于所述高阻光增益半导体衬底和所述石墨烯层上的第一ITO电极和第二电极，其中，所述第一ITO电极和所述第二电极分别一部分与所述高阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，以及其中：i)所述光源发射的光的能量大于所述高阻光增益半导体衬底的带隙，且所述光源仅辐照第一ITO电极；ii)所述第一ITO电极的面积大于所述光源发射光的光斑面积。本发明的光电二极管装置为平面结构，光电响应速度高，在平面集成和微纳器件领域有潜在应用。