专利详情

专利名称	一种碳炔薄膜及其制备方法与应用
申请号	CN201610473762.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106117521A	公开（授权）日	2016.11.16
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	李玉良;贾志宇;刘辉彪
主分类号	C08G61/04(2006.01)I	IPC主分类号	C08G61/04(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I
专利有效期	一种碳炔薄膜及其制备方法与应用至一种碳炔薄膜及其制备方法与应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种碳炔薄膜及其制备方法与应用。该碳炔薄膜为由式I所示化合物构成的碳炔薄膜。该薄膜是由式II所示化合物通过Glaser?Hay偶联反应而得。本发明提供的制备碳炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或者铜薄膜层表面大面积制备碳炔薄膜，其电导率为1.4×10^?2S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，采用核磁碳谱、原子力显微镜和拉曼光谱对碳炔化合物的结构组成进行了分析，确定了碳炔的构成。同时，对碳炔薄膜的导电性进行了测量，发现其是一种与接近金属性能的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域具有广阔的应用前景。