专利详情

专利名称	一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法
申请号	CN201610274475.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105870267A	公开（授权）日	2016.08.17
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	訾慧;薛正群;苏辉;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I
专利有效期	一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法至一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法，该方法包括以下步骤：一次外延生长步骤：采用MBE生长一次外延结构，其结构沿晶向依次包括N⁺?GaAs衬底层(1)、N?GaAs缓冲层(2)、N?AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)、P?AlGaAs覆盖层(7)、P?GaAs保护层(8)；形成脊形状的步骤；生长掩埋异质结的步骤；蒸发N、P型电极的步骤；镀膜步骤。本发明还提出了一种量子点超辐射发光二极管。本发明提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。