半导体器件
- 申请号：CN201410812062.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105789365A
- 公开(公开)日：2016.07.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201410812062.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105789365A | 公开（授权）日 | 2016.07.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法，将低温TFT集成在硅基二极管阵列中，以形成在片的信号处理和放大电路，这样，可以即时地放大由PIN二极管获取的微弱电信号，抑制噪声，提高灵敏度；同时，通过低温TFT在片放大信号，可以降低铟柱封装引线中的寄生电容的影响；另外，低温TFT的工艺对硅基二极管像素单元的探测灵敏度没有影响，也不影响到后续的铟柱倒装焊的封装工艺。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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