专利详情

专利名称	一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法
申请号	CN201611130606.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106409988A	公开（授权）日	2017.02.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I
专利有效期	一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法至一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤：1)在砷化镓外延片表面制备窗口层，然后在窗口层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；2)在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极，在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极；3)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出窗口层；4)在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层；5)在所述石墨烯层表面制备减反层，得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。本发明将石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。