专利详情

专利名称	GaN基白光LED及制备方法
申请号	CN201610374754.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105870287A	公开（授权）日	2016.08.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	袁国栋;王乐;段瑞飞;李晋闽;王军喜;黄芳;吴瑞伟;王克超
主分类号	H01L33/32(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	GaN基白光LED及制备方法至GaN基白光LED及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种GaN基白光LED，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底的上面；一n?GaN层，其制作在缓冲层的上面，其上面的一侧形成一台面；一蓝光多量子阱层，其制作在n?GaN层台面另一侧的上面；一p?GaN层，其制作在蓝光多量子阱层的上面；一透明导电层，其制作在p?GaN层的上面；一上电极阵列，其制作在透明导电层的上面；一下电极，其制作在n?GaN层的台面上；一钙钛矿层，其制作在透明导电层上，位于上电极阵列空隙处。本发明是GaN基白光LED将成熟的GaN基LED技术与新型的钙钛矿材料结合，制造出低成本、高效的白光LED。