专利详情

专利名称	一种Sb₂Te₃热电材料薄膜湿法刻蚀方法
申请号	CN201610039854.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105742477A	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	周奇军;魏劲松;魏涛
主分类号	H01L35/34(2006.01)I	IPC主分类号	H01L35/34(2006.01)I;H01L21/465(2006.01)I
专利有效期	一种Sb₂Te₃热电材料薄膜湿法刻蚀方法至一种Sb₂Te₃热电材料薄膜湿法刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种Sb₂Te₃热电材料薄膜湿法刻蚀方法，包括以下步骤：在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb₂Te₃热电材料薄膜；采用激光对所制Sb₂Te₃热电材料薄膜进行直写式激光曝光热作用；采用刻蚀液对激光热作用的薄膜进行选择性湿法刻蚀。本发明的湿法刻蚀方法，具有操作简单、成本低廉、刻蚀速率可控、刻蚀精度高等优点。该湿法刻蚀方法可以用于微纳结构制造，热传感器，热电制冷器件，太阳能电池，相变存储器等领域中的Sb₂Te₃微纳图形结构加工工艺，促进该热电薄膜在上述领域的应用。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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