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硅基Ge光探测器阵列

  • 申请号:CN201720132169.1
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
  • 公开(公开)号:CN206849844U
  • 公开(公开)日:2018.01.05
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 硅基Ge光探测器阵列
申请号 CN201720132169.1 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN206849844U 公开(授权)日 2018.01.05
申请(专利权)人 上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心 发明(设计)人 仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军
主分类号 H01L27/146(2006.01)I IPC主分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 硅基Ge光探测器阵列 至硅基Ge光探测器阵列 法律状态
说明书摘要 本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法,所述制作方法包括:1)于硅衬底中形成N++型掺杂层;2)于N++型掺杂层表面形成本征Ge层;3)于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列;4)于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区;5)于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极;6)于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽,形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽,切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径,从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰,使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。

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