专利详情

专利名称	一种二维半导体负电容场效应管
申请号	CN201720603921.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN206789549U	公开（授权）日	2017.12.22
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王建禄;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙硕;孙璟兰;褚君浩
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/445(2006.01)I
专利有效期	一种二维半导体负电容场效应管至一种二维半导体负电容场效应管	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种二维半导体负电容场效应管。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，在该结构上制备具有负电容效应的铁电薄膜，最后在该薄膜上制备金属栅电极，形成铁电调控的二维半导体负电容场效应器件结构。区别于其它二维半导体负电容场效应器件结构，该金属?铁电?半导体结构可实现高性能的负电容场效应器件。电学测试结果表明，此类器件的亚阈值摆幅远小于60mV/dec，突破了玻尔兹曼极限，该类二维半导体负电容场效应器件同时具备极低功耗、高速翻转等特点。